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电子元器件详细资料 » IC[19317] » FQB3N60CTM
型号:FQB3N60CTM类别:FET - 单制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK
系列QFET™
制造商Fairchild Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)600V
电流_连续漏极(Id)0a025000C3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C3.4 欧姆 @ 1.5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs14nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds565pF @ 25V
功率_最大75W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装D²PAK
包装带卷 (TR)

供应商

源辰芯科技(深圳)有限公司李经理0755-82170267
深圳市维基鸿电子有限公司米小姐,黄小姐19520735817/13148740183
深圳市海虹微电子有限公司赵小姐086-0755-83291010 83678410
深圳市励芯恒智能科技有限公司雷先生0755-23487994
中科航芯(深圳)科技有限公司李18927479189
深圳市潮南大宇电子有限公司 陈小姐/陈先生0755-23956875\23956877
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